京都先端科学大学の松波弘之特任教授が日本学士院賞を受賞

京都先端科学大学ナガモリアクチュエータ研究所の松波弘之特任教授が日本学士院賞を受賞することが決まった。明治43年に創設された日本学士院賞は、学術上特に優れた研究実績等に対して贈賞される日本における最も権威のある学術賞である。

炭化ケイ素の高品質単結晶化技術の確立

今回の受賞は、実現が困難とされていた炭化ケイ素（SiC）の高品質単結晶化技術であるステップ制御エピタキシー（SCE）法を確立したことが評価されたものだ。この技術の開発により、高耐電圧性と耐熱性に優れ、電力変換時の損失が非常に小さいパワー半導体の開発に繋がった。

SiC研究への情熱と継続が実を結ぶ

松波教授は1968年に京都大学でSiCの研究に着手した。高温下での使用が可能で、放射線に対しても強い特性をもつSiCをエレクトロニクス用材料として産業界で活かしたいという気持ちからの出発だった。情熱、継続、忍耐で研究を重ねた結果、21年後の1987年に高品質なシリコンカーバイドの結晶を成長させる「ステップ制御エピタキシー技術」を発明することに成功した。

パワー半導体の実用化で膨大な電力削減を実現

この技術がブレークスルーとなり、世界中でSiCを用いたパワー半導体の開発が始まった。現在、サーバーやワークステーション用の電源、太陽光発電のパワーコンバータ、鉄道や電気自動車のインバータなど様々な用途でSiCパワー半導体が使用されている。こうした広がりを通じて、膨大な量の電力削減が実現されているのだ。

若手研究者への期待を込めて

松波教授は受賞のコメントで、共に研究したスタッフ、学生および関係者のご尽力に感謝するとともに、「この受賞により、若手研究者、技術者が人と異なることをする勇気を持つきっかけになれば幸い」と述べている。

出典: https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000034.000144315.html